第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目
交易项目编号：S110000P001011277
发布时间：2023-11-13 信息来源：北京市工程建设招标投标交易系统 浏览次数：
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• 公告内容
招 标 计 划
| 项目名称： 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目 |
| 招 标 人： 北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 项目概况： 建设地点：北京市大兴区新城东南片0605-022C地块 |
| 投资估算： 199234.5 万元 |
| 招标范围： 施工：施工图纸范围内的地基与基础、主体结构、建筑装饰装修、屋面、建筑给水排水及供暖、通风与空调、建筑电气、智能建筑、建筑节能、电梯及室外工程等全部工作内容。
监理：施工阶段的监理，具体包括对建设工程质量、进度、造价进行控制，对合同、信息进行管理，对工程建设相关方的关系进行协调，并履行法定及合同约定的建设工程安全生产管理职责。 |
| 建设规模： 总建筑面积约105100平方米 |
| 预计招标公告发布时间： 2023年12月14日 |
| 其他说明： 本项目具体投资估算、招标范围、建设规模以招标公告或资格预审公告为准。 |
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